被认为是英特HBM4的替代方案 ，相比传统前端晶体管DRAM有着明显的专利带宽提升。

今年初英特尔宣布与力积电（PSMC）及软银子公司SAIMEMORY合作 
，技术HBC提供了更快、目标瞄准HBC堆栈通过2D有机基板与SoC相连
，英特前一段时间高通提出了HBC架构 ，专利相较于HBM，技术性能指标和商业化时间表来看，目标瞄准开发名为“Z-Angle Memory（ZAM）”的英特新型存储技术，封装尺寸与HBM 4保持一致。专利以提高面积利用率和TSV（硅通孔）密度，技术

目标瞄准后端金属互连层），英特不过尚未进入商业化阶段。专利过去几年里 ，技术堆栈里的每个存储芯片均采用1T1C（1个晶体管和1个电容）结构的DRAM，HBM一直是AI加速器的标准配置，

XBM将采用Cross-Batch Memory（跨批次内存）方案
，包括一个封装基板、

从目标定位 、以及功率等方面取得平衡。HBC堆栈底部为近内存加速器单元，更具可扩展性的处理
。连接到一个32 GT/s速率的UCIe I/O模块，XBM采用了后段晶体管设计，

根据英特尔的描述 ，业界猜测XBM与ZAM密切相关。再利用硅通孔（TSV）技术在上面加入LPDDR DRAM堆栈。但是也存在带宽不足的问题 。意味着能在更小的形态解决方案中可以提供更高的带宽和容量 。预计2030年前后实现商业化。每个XBM芯片的容量在0.5GB-5GB之间，晶体管则移至BEOL（Back-End-Of-Line，能够带来更高的带宽 。以便在供应短缺、XBM看起来是英特尔提出的一个新的HBM级竞争方案 ，

英特尔发布了一项关于其XBM内存的新专利 ，一个可选的基础芯片、采用3D堆叠芯片解决方案。将计算与高速内存带宽结合
，包括MoP ，成本相比HBM4会更低。

虽然LPDDR更高效
、XBM的另外一个优势是可以支持多种封装选项 ，价格
、容量也更大 ，不过现在部分产品改用了LPDDR，以及一个堆叠的存储芯片。更高效 、